3. 실험결과
<이상기체상태방정식을 이용한 증착량 계산>
o 이상기체가정, 이상기체방정식(PV=nRT) 성립
o Chamber의 부피 m3, 온도 25℃
o Alq3의 분자량은 459.44g/mol 이다.
o 증발한 시료의 몰수는 = 실험 후 기체의 몰수-실험 전 기체의 몰수
o 증발한 시료의 무게는 = 실험 전 시료의 무게-실험
도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다. PVD는 증착시키려는 물질을 기체 상태로 만들어서 날려 보내는 것이므로 진공 상태에서 해주어야 한다. 즉, 중간에 다른 기체 분자들과 부딪혀서 기판에 닿지 못하거나 중간에 열을 잃어버려서 고체로 변해버리는 문제를 막기 위해 진공 환경에서 실험해야한다.
진공증착이나 스퍼터링법으로 형성된 ITO(Indium Thin Oxide)가 주로 전극으로 사용된다. 일반적으로 Anode 전극은 보다 많은 정공을 만들고 정공의 주입을 용이하게 하기 위하여 일함수가 큰 물질을 사용한다. 또한 OLED소자가 발광했을 때 발광효율을 저하시키지 않게 하기 위하여 광투과도가 높은 물질을
실험에 빗대어 설명을 하면 실리콘 Wafer를 E-beam evaporator 내부 상단의 chamber에 장착을 하고 도가니에 증착하고 싶은 물질, 예를 들어 powder를 올린다. 이때 물질의 상태는 solid상태여야 한다. 내부를 진공으로 만들어 준 뒤 E-beam gun을 물질에 쏘아서 증발시켜 실리콘 wafer에 증착을 시키는 것이 원리가 된다
투과전자현미경은 주로 시료의 내부구조나 단면을 관찰하는데 쓰이고 있다. 원리는 광학현미경과 비슷하다. 전자현미경에서의 광원은 높은 진공 상태(1x10-4 이상)에서 고속으로 가속되는 전자선으로 이 전자선이 표본을 투과하여 형광판이나 사진필름에 초점을 맞추어 투사된다. 이 전자의 파장은 가
증착
E-beam Evaporator
Shadow mask
Shadow mask에 자른 wafer를 붙인 후 E-beam장치를 이용하여 Au를 증착시킨다. 증착시키기 전에 E-beam장치 안에 혹시 있을지 모르는 전압을 접지시켜준다. 펌프를 이용하여 진공을 잡아준 후 금을 녹이기 위해 전압을 걸어준다. 어느정도 전압이 걸리면 암페어를 걸어주어 Au에
실험 순서
1) 기판 준비
① ultrasonic에 기판을 10분간 돌리고
20분간 150℃로 Dry Oven에 말린다.
② heating boat에 ALQ3를 고정시키고
기판에 증착판을 고정한다.
⑤ Chamber내의 압력이 충분히 떨어진 후 다시 Fore way쪽으로 벨브를 연다.
⑥ 오일확산펌프의 압력이 10-2Pa까지 떨어지면 R
화학구조와 결정구조, 양상의 고분자용매 사용성의 정도 등의 원인에 의해서 지배된다.
2. 1. 2. In situ 중합법
서로 혼합되지 않는 2상의 어느쪽이 한쪽의 상에 모노머와 촉매를 용매로 해서 계면에서 중합반응을 일으켜 심물질의 표면에 균일한 막을 형성하는 것이 in situ 중합법이다. 원리는 그림 4
2.실험이론
진공증착이란 진공 중에서 금속이나 화합물을 증발시켜, 증발원과 마주 보고 있는 기판의 표면에 박막을 만드는 것을 말한다.
진공이 필요한 이유는 금속이나 화합물이 증발할 만큼 고온으로 하면, 대기 중에서는 산화나 원하지 않는 반응이 일어나기 때문이고 또 다른 이유는 금속 등이
flow)로서 산소나 수증기 등의 반응기체는 운반기체(carrier gas)에 섞여 기체 혼합물로 공급되며, 웨이퍼 근처까지 도달한 이후에는 주로 기체 및 고체 상태 확산에 의해 물질 전달되어 진다. 열 산화 공정은 반응공학적인 측면에서 볼 때 전형적인 기체-고체 반응(gas-solid reaction) 시스템이라 할 수 있다.